製造業者識別番号IPD05N03LB G
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量124710 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPD05N03LB G.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します IPD05N03LB G 24時間以内に。

品番
IPD05N03LB G
生産状況(ライフサイクル)
Contact us
メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
4.8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2V @ 40µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
25nC @ 5V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
3200pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
94W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量
Contact us
応用
Email for details
交換部品
IPD05N03LB G

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPD0"

品番 メーカー 説明
IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3
IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD031N03LGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD031N03M G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
IPD033N06NATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
IPD035N06L3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD036N04LGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD038N04N MICREL / MICROCHIP IPD038N04N MICREL rohs
IPD038N04NGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD038N06N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3