製造業者識別番号IPB80N06S2L11ATMA2
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量96230 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPB80N06S2L11ATMA2.pdf

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品番
IPB80N06S2L11ATMA2
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
55V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
10.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2V @ 93µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
80nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
2075pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
158W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量
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応用
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交換部品
IPB80N06S2L11ATMA2

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPB80N"

品番 メーカー 説明
IPB80N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPB80N04S204ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S204ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S2H4ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S2H4ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL_30/40V
IPB80N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S303ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S304ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S306ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S3H4ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S403ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2