製造業者識別番号IPB65R660CFDAATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量144840 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH TO263-3
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPB65R660CFDAATMA1.pdf

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品番
IPB65R660CFDAATMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
660 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
4.5V @ 200µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
20nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
543pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
62.5W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量
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応用
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交換部品
IPB65R660CFDAATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPB65R"

品番 メーカー 説明
IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
IPB65R065C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3
IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3
IPB65R095C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3
IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3
IPB65R099C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 38A TO263
IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3
IPB65R110CFDATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
IPB65R125C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3
IPB65R125C7ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3
IPB65R150CFDAATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3