製造業者識別番号IPB04N03LB G
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量139740 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPB04N03LB G.pdf

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品番
IPB04N03LB G
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
3.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2V @ 70µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
40nC @ 5V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
5203pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
107W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量
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応用
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交換部品
IPB04N03LB G

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPB0"

品番 メーカー 説明
IPB009N03LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
IPB015N08N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB017N06N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7