製造業者識別番号BSC0906NSATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量106670 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード BSC0906NSATMA1.pdf

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品番
BSC0906NSATMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
18A (Ta), 63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
4.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
13nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
870pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
重量
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応用
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交換部品
BSC0906NSATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "BSC0"

品番 メーカー 説明
BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
BSC010N04LSCATMA1 Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC010N04LSIATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
BSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
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BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
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