BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 199120 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | BSC0901NSATMA1.pdf |
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- 品番
- BSC0901NSATMA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 30V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 28A (Ta), 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 1.9 mOhm @ 30A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2.2V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 44nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 2800pF @ 15V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 2.5W (Ta), 69W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- PG-TDSON-8
- パッケージ/ケース
- 8-PowerTDFN
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- BSC0901NSATMA1
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
関連キーワード "BSC0"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
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| BSC009NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 |
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| BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON |
| BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 |
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| BSC011N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON |
| BSC011N03LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 |
| BSC011N03LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |