製造業者識別番号GP2M005A060PG
メーカー/ブランドGlobal Power Technologies Group
利用可能な数量153900 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード GP2M005A060PG.pdf

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品番
GP2M005A060PG
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
4.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
14nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
658pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
98.4W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
I-PAK
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量
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応用
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交換部品
GP2M005A060PG

によって作られた関連部品 Global Power Technologies Group

関連キーワード "GP2M"

品番 メーカー 説明
GP2M002A060CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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GP2M002A060HG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 2A TO220
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GP2M002A065HG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
GP2M002A065PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
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GP2M004A060PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 4A IPAK