製造業者識別番号GD25LQ05CEIGR
メーカー/ブランドGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
利用可能な数量166620 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明NOR FLASH
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード GD25LQ05CEIGR.pdf

下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します GD25LQ05CEIGR 24時間以内に。

品番
GD25LQ05CEIGR
生産状況(ライフサイクル)
Contact us
メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Non-Volatile
メモリフォーマット
FLASH
技術
FLASH - NOR
メモリー容量
512Kb (64K x 8)
クロック周波数
104MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
50µs, 2.4ms
アクセス時間
-
メモリインターフェイス
SPI - Quad I/O
電圧 - 供給
1.65 V ~ 2.1 V
動作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-XFDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ
8-USON (2x3)
重量
Contact us
応用
Email for details
交換部品
GD25LQ05CEIGR

によって作られた関連部品 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

関連キーワード "GD25"

品番 メーカー 説明
GD25-15P-NF Laird Technologies IAS RF ANT 2.6GHZ GRID N FEM BRK 30"
GD25-15P-NM Laird Technologies IAS RF ANT 2.6GHZ GRID N 30"
GD25-19P-NF Laird Technologies IAS RF ANT 2.6GHZ GRID N FEM BRK 30"
GD25-19P-NM Laird Technologies IAS RF ANT 2.6GHZ GRID N 30"
GD25-24P-NF Laird Technologies IAS RF ANT 2.6GHZ GRID N FEM BRK 30"
GD25-24P-NM Laird Technologies IAS RF ANT 2.6GHZ GRID N 30"
GD25D05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH
GD25D05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH
GD25D05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH
GD25D10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH
GD25D10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH
GD25D10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited NOR FLASH