製造業者識別番号EPC2012C
メーカー/ブランドEPC
利用可能な数量127860 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明TRANSISTOR GAN 200V 5A BUMPED DIE
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード EPC2012C.pdf

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品番
EPC2012C
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th)(Max)@ Id
2.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
1.3nC @ 5V
Vgs(最大)
+6V, -4V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
140pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
Die Outline (4-Solder Bar)
パッケージ/ケース
Die
重量
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応用
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交換部品
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