製造業者識別番号DMN10H170SFG-7
メーカー/ブランドDiodes Incorporated
利用可能な数量104560 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード DMN10H170SFG-7.pdf

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品番
DMN10H170SFG-7
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
122 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
14.9nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
870.7pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
940mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PowerDI3333-8
パッケージ/ケース
8-PowerWDFN
重量
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応用
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交換部品
DMN10H170SFG-7

によって作られた関連部品 Diodes Incorporated

関連キーワード "DMN1"

品番 メーカー 説明
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