製造業者識別番号AS4C8M16MSA-6BIN
メーカー/ブランドAlliance Memory, Inc.
利用可能な数量157100 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード AS4C8M16MSA-6BIN.pdf

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品番
AS4C8M16MSA-6BIN
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile
メモリー容量
128Mb (8M x 16)
クロック周波数
166MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
-
アクセス時間
5ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.95 V
動作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
54-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
54-FBGA (8x8)
重量
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応用
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交換部品
AS4C8M16MSA-6BIN

によって作られた関連部品 Alliance Memory, Inc.

関連キーワード "AS4C8"

品番 メーカー 説明
AS4C8M16D1-5BCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II