codice articolo del costruttoreW632GG6MB11I
Produttore / MarcaWinbond Electronics
quantité disponible104920 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
W632GG6MB11I
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria
2Gb (128M x 16)
Frequenza di clock
933MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
-
Tempo di accesso
20ns
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
1.425 V ~ 1.575 V
temperatura di esercizio
-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio
-
Pacchetto / caso
-
Pacchetto dispositivo fornitore
-
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
W632GG6MB11I

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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W632GG6KB-11 TR Winbond Electronics IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-12 Winbond Electronics IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-12 TR Winbond Electronics IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 Winbond Electronics IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 TR Winbond Electronics IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
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