codice articolo del costruttoreSI5513DC-T1-E3
Produttore / MarcaVishay Siliconix
quantité disponible160700 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
SI5513DC-T1-E3
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N and P-Channel
Caratteristica FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
3.1A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potenza - Max
1.1W
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore
1206-8 ChipFET™
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
SI5513DC-T1-E3

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