Numero di parte

SI4404DY-T1-GE3

Stato di produzione (ciclo di vita)

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Tempo di consegna del produttore

6-8 weeks

Condizione

New & Unused, Original Sealed

Modo di spedizione

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Stato parte

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Caratteristica FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / caso

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso

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Applicazione

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Pezzo di ricambio

SI4404DY-T1-GE3