codice articolo del costruttoreSI3586DV-T1-GE3
Produttore / MarcaVishay Siliconix
quantité disponible151980 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
SI3586DV-T1-GE3
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N and P-Channel
Caratteristica FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potenza - Max
830mW
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore
6-TSOP
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
SI3586DV-T1-GE3

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