Numero di parte

SI2312BDS-T1-E3

Stato di produzione (ciclo di vita)

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Tempo di consegna del produttore

6-8 weeks

Condizione

New & Unused, Original Sealed

Modo di spedizione

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Stato parte

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Caratteristica FET

-

Dissipazione di potenza (max)

750mW (Ta)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / caso

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso

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Applicazione

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Pezzo di ricambio

SI2312BDS-T1-E3