Numero di parte

SI2307CDS-T1-GE3

Stato di produzione (ciclo di vita)

Contact us

Tempo di consegna del produttore

6-8 weeks

Condizione

New & Unused, Original Sealed

Modo di spedizione

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Stato parte

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

88 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 15V

Caratteristica FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.1W (Ta), 1.8W (Tc)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / caso

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso

Contact us

Applicazione

Email for details

Pezzo di ricambio

SI2307CDS-T1-GE3