IRF634STRLPBF Vishay Siliconix Distributore
| codice articolo del costruttore | IRF634STRLPBF |
|---|---|
| Produttore / Marca | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 125160 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CHANNEL 250V |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IRF634STRLPBF.pdf |
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- Numero di parte
- IRF634STRLPBF
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
-
- Tecnologia
-
- Drain to Source Voltage (Vdss)
-
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
-
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
- Vgs (th) (Max) @ Id
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
- Vgs (massimo)
-
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
-
- temperatura di esercizio
-
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- D²PAK (TO-263)
- Pacchetto / caso
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- IRF634STRLPBF
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| IRF6000T00B01 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF6000T00B02 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF6001I | Texas Instruments （TI） | IRF6001I TI BGA IC |
| IRF603FP | STMicroelectronics | IRF603FP STM IC TO-220F |
| IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A |
| IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A |
| IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A |
| IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB |
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