RN1426TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
codice articolo del costruttore | RN1426TE85LF |
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Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
quantité disponible | 35850 Pieces |
Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
Breve descrizione | TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMINI |
categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | RN1426TE85LF.pdf |
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- Numero di parte
- RN1426TE85LF
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Corrente - Collector (Ic) (Max)
- 800mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 1 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
- 10 kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 90 @ 100mA, 1V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 250mV @ 1mA, 50mA
- Corrente - Limite del collettore (max)
- 500nA
- Frequenza - Transizione
- 300MHz
- Potenza - Max
- 200mW
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Pacchetto dispositivo fornitore
- S-Mini
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- RN1426TE85LF
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