codice articolo del costruttoreRN1426TE85LF
Produttore / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible35850 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneTRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMINI
categoria di prodottoTransistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
RN1426TE85LF
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)
800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
90 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
300MHz
Potenza - Max
200mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
S-Mini
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
RN1426TE85LF

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