Numero di parte

CSD13302W

Stato di produzione (ciclo di vita)

Contact us

Tempo di consegna del produttore

6-8 weeks

Condizione

New & Unused, Original Sealed

Modo di spedizione

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Stato parte

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.1 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

862pF @ 6V

Caratteristica FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DSBGA

Pacchetto / caso

4-UFBGA, DSBGA

Peso

Contact us

Applicazione

Email for details

Pezzo di ricambio

CSD13302W