ES1JLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Distributore
| codice articolo del costruttore | ES1JLHR3G |
|---|---|
| Produttore / Marca | Taiwan Semiconductor Corporation |
| quantité disponible | 117220 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
| categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | ES1JLHR3G.pdf |
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- Numero di parte
- ES1JLHR3G
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo diodo
- Standard
- Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)
- 600V
- Corrente - Rettificato medio (Io)
- 1A
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.7V @ 1A
- Velocità
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Tempo di recupero inverso (trr)
- 35ns
- Corrente - Perdita inversa @ Vr
- 5µA @ 600V
- Capacità @ Vr, F
- 8pF @ 4V, 1MHz
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- DO-219AB
- Pacchetto dispositivo fornitore
- Sub SMA
- Temperatura operativa - Giunzione
- -55°C ~ 150°C
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- ES1JLHR3G
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