1N5407G R0G Taiwan Semiconductor Corporation Distributore
| codice articolo del costruttore | 1N5407G R0G |
|---|---|
| Produttore / Marca | Taiwan Semiconductor Corporation |
| quantité disponible | 49850 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
| categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | 1N5407G R0G.pdf |
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- Numero di parte
- 1N5407G R0G
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo diodo
- Standard
- Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)
- 800V
- Corrente - Rettificato medio (Io)
- 3A
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1V @ 3A
- Velocità
- Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Tempo di recupero inverso (trr)
-
- Corrente - Perdita inversa @ Vr
- 5µA @ 800V
- Capacità @ Vr, F
- 25pF @ 4V, 1MHz
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto / caso
- DO-201AD, Axial
- Pacchetto dispositivo fornitore
- DO-201AD
- Temperatura operativa - Giunzione
- -55°C ~ 150°C
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- 1N5407G R0G
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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