Numero di parte

STP18N60DM2

Stato di produzione (ciclo di vita)

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Tempo di consegna del produttore

6-8 weeks

Condizione

New & Unused, Original Sealed

Modo di spedizione

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Stato parte

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

295 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 100V

Caratteristica FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / caso

TO-220-3

Peso

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Applicazione

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Pezzo di ricambio

STP18N60DM2