RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor Distributore
| codice articolo del costruttore | RQ3E180AJTB |
|---|---|
| Produttore / Marca | Rohm Semiconductor |
| quantité disponible | 108930 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | RQ3E180AJTB.pdf |
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- Numero di parte
- RQ3E180AJTB
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 18A (Ta), 30A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 11mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 39nC @ 4.5V
- Vgs (massimo)
- ±12V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 4290pF @ 15V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 2W (Ta), 30W (Tc)
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 8-HSMT (3.2x3)
- Pacchetto / caso
- 8-PowerVDFN
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- RQ3E180AJTB
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT |
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| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT |
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