codice articolo del costruttoreNGTD21T65F2WP
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible105750 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
NGTD21T65F2WP
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo IGBT
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)
-
Corrente - Collector Pulsed (Icm)
200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 45A
Potenza - Max
-
Cambiare energia
-
Tipo di input
Standard
Carica del cancello
-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C
-
Condizione di test
-
Tempo di recupero inverso (trr)
-
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
Die
Pacchetto dispositivo fornitore
Die
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
NGTD21T65F2WP

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