codice articolo del costruttoreMUN5212DW1T1G
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible111420 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneTRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
categoria di prodottoTransistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
MUN5212DW1T1G
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
250mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
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