codice articolo del costruttoreFDG6335N
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible200840 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
FDG6335N
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
700mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
113pF @ 10V
Potenza - Max
300mW
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-70-6
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
FDG6335N

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