JANTXV2N6800 Microsemi Corporation Distributore
| codice articolo del costruttore | JANTXV2N6800 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Microsemi Corporation |
| quantité disponible | 100030 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | JANTXV2N6800.pdf |
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- Numero di parte
- JANTXV2N6800
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 400V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.1 Ohm @ 3A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 34.75nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 800mW (Ta), 25W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto dispositivo fornitore
- TO-205AF (TO-39)
- Pacchetto / caso
- TO-205AF Metal Can
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- JANTXV2N6800
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Parole chiave correlate per "JANT"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| JANT4N49 | Texas Instruments （TI） | JANT4N49 TI CAN6 IC |
| JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 |
| JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB |
| JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 |
| JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER |
| JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB |
| JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 |
| JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 |
| JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA |
| JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA |
| JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA |
| JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA |