APTM50DDA10T3G Microsemi Corporation Distributore
| codice articolo del costruttore | APTM50DDA10T3G |
|---|---|
| Produttore / Marca | Microsemi Corporation |
| quantité disponible | 139530 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | APTM50DDA10T3G.pdf |
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- Numero di parte
- APTM50DDA10T3G
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual)
- Caratteristica FET
- Standard
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 500V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 37A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 120 mOhm @ 18.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 96nC @ 10V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 4367pF @ 25V
- Potenza - Max
- 312W
- temperatura di esercizio
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Chassis Mount
- Pacchetto / caso
- SP3
- Pacchetto dispositivo fornitore
- SP3
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- APTM50DDA10T3G
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
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| APTM100A13SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| APTM100A13SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
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