codice articolo del costruttoreAPTC90H12T1G
Produttore / MarcaMicrosemi Corporation
quantité disponible192180 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
APTC90H12T1G
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Last Time Buy
Tipo FET
4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET
Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss)
900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 100V
Potenza - Max
250W
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto / caso
SP1
Pacchetto dispositivo fornitore
SP1
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
APTC90H12T1G

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