APTC90H12T1G Microsemi Corporation Distributore
codice articolo del costruttore | APTC90H12T1G |
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Produttore / Marca | Microsemi Corporation |
quantité disponible | 192180 Pieces |
Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
Breve descrizione | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 |
categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | APTC90H12T1G.pdf |
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- Numero di parte
- APTC90H12T1G
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Last Time Buy
- Tipo FET
- 4 N-Channel (H-Bridge)
- Caratteristica FET
- Super Junction
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 900V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 30A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 120 mOhm @ 26A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 3mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 270nC @ 10V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 6800pF @ 100V
- Potenza - Max
- 250W
- temperatura di esercizio
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Chassis Mount
- Pacchetto / caso
- SP1
- Pacchetto dispositivo fornitore
- SP1
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- APTC90H12T1G
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