codice articolo del costruttoreNAND512R3A2DZA6E
Produttore / MarcaMicron Technology Inc.
quantité disponible100510 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
NAND512R3A2DZA6E
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo di memoria
Non-Volatile
Formato di memoria
FLASH
Tecnologia
FLASH - NAND
Dimensione della memoria
512Mb (64M x 8)
Frequenza di clock
-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
50ns
Tempo di accesso
50ns
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
63-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore
63-VFBGA (9x11)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
NAND512R3A2DZA6E

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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NAND512R3A0AN1F STMicroelectronics 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC
NAND512R3A0AN1T STMicroelectronics 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC
NAND512R3A0AN6E STMicroelectronics 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC
NAND512R3A0AN6F STMicroelectronics 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC
NAND512R3A0AN6T STMicroelectronics 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories IC