codice articolo del costruttoreMT47H256M8EB-187E:C
Produttore / MarcaMicron Technology Inc.
quantité disponible116230 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
MT47H256M8EB-187E:C
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria
2Gb (256M x 8)
Frequenza di clock
533MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
15ns
Tempo di accesso
350ps
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
1.7 V ~ 1.9 V
temperatura di esercizio
0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore
60-FBGA (9x11.5)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
MT47H256M8EB-187E:C

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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MT47H256M4B7-5E:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4B7-5E:A TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4BT-37E:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4BT-3:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4BT-5E:A Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4CF-25:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H TR Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3 IT:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3:H Micron Technology Inc. IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA