codice articolo del costruttoreMT46H128M32L2MC-6 IT:A
Produttore / MarcaMicron Technology Inc.
quantité disponible207110 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
MT46H128M32L2MC-6 IT:A
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria
4Gb (128M x 32)
Frequenza di clock
166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
15ns
Tempo di accesso
5.0ns
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
240-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore
240-WFBGA (14x14)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
MT46H128M32L2MC-6 IT:A

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-5 IT:B Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-5 WT:B Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
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MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFB7-6 WT:B Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
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