codice articolo del costruttoreIS43R86400E-5BLI
Produttore / MarcaISSI, Integrated Silicon Solution Inc
quantité disponible92100 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IS43R86400E-5BLI
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - DDR
Dimensione della memoria
512Mb (64M x 8)
Frequenza di clock
200MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
15ns
Tempo di accesso
700ps
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
2.3 V ~ 2.7 V
temperatura di esercizio
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
-
Pacchetto / caso
-
Pacchetto dispositivo fornitore
-
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IS43R86400E-5BLI

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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