codice articolo del costruttoreIRF6894MTRPBF
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible58460 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IRF6894MTRPBF.pdf

Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo IRF6894MTRPBF entro 24 ore.

Numero di parte
IRF6894MTRPBF
Stato di produzione (ciclo di vita)
Contact us
Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
32A (Ta), 160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 4.5V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4160pF @ 13V
Caratteristica FET
Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)
2.1W (Ta), 54W (Tc)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DIRECTFET™ MX
Pacchetto / caso
DirectFET™ Isometric MX
Peso
Contact us
Applicazione
Email for details
Pezzo di ricambio
IRF6894MTRPBF

Componenti correlati realizzati da Infineon Technologies

Parole chiave correlate per "IRF6"

Numero di parte fabbricante Descrizione
IRF6000T00B01 SAMSUNG SAMSUNG orginal components
IRF6000T00B02 SAMSUNG SAMSUNG orginal components
IRF6001I Texas Instruments (TI) IRF6001I TI BGA IC
IRF603FP STMicroelectronics IRF603FP STM IC TO-220F
IRF60B217 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 60A
IRF60DM206 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 130A
IRF60R217 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 58A
IRF610 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
IRF610-613 FAIRCHILD N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V IC
IRF610-R4941 FAIRCHILD IRF610-R4941 FAIRCHILD IC TO220
IRF610-TSTU SAMSUNG SAMSUNG orginal components
IRF610/SIHF610 VISHAY IRF610/SIHF610 original vishay components