IRF6710S2TRPBF Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | IRF6710S2TRPBF |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 193790 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IRF6710S2TRPBF.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo IRF6710S2TRPBF entro 24 ore.
- Numero di parte
- IRF6710S2TRPBF
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 25V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 12A (Ta), 37A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.9 mOhm @ 12A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.4V @ 25µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 13nC @ 4.5V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1190pF @ 13V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 1.8W (Ta), 15W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- DIRECTFET S1
- Pacchetto / caso
- DirectFET™ Isometric S1
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- IRF6710S2TRPBF
Componenti correlati realizzati da Infineon Technologies
;;3.jpg "IRFU120Z")
Parole chiave correlate per "IRF6"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| IRF6000T00B01 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF6000T00B02 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF6001I | Texas Instruments （TI） | IRF6001I TI BGA IC |
| IRF603FP | STMicroelectronics | IRF603FP STM IC TO-220F |
| IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A |
| IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A |
| IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A |
| IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB |
| IRF610-613 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V IC |
| IRF610-R4941 | FAIRCHILD | IRF610-R4941 FAIRCHILD IC TO220 |
| IRF610-TSTU | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |
| IRF610/SIHF610 | VISHAY | IRF610/SIHF610 original vishay components |