IPD70R900P7SAUMA1 Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | IPD70R900P7SAUMA1 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 38410 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IPD70R900P7SAUMA1.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo IPD70R900P7SAUMA1 entro 24 ore.
- Numero di parte
- IPD70R900P7SAUMA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 700V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 900 mOhm @ 1.1A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 60µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 6.8nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±16V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 211pF @ 400V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 30.5W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PG-TO252-3
- Pacchetto / caso
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- IPD70R900P7SAUMA1
Componenti correlati realizzati da Infineon Technologies
Parole chiave correlate per "IPD70"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 |
| IPD70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 |
| IPD70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 |
| IPD70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 |
| IPD70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3 |
| IPD70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ |
| IPD70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 |
| IPD70P04P4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 |
| IPD70R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3 |
| IPD70R1K4P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 |
| IPD70R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD70R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 |