codice articolo del costruttoreIPD65R600E6ATMA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible189010 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IPD65R600E6ATMA1
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
63W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3
Pacchetto / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IPD65R600E6ATMA1

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