IPB65R225C7ATMA2 Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | IPB65R225C7ATMA2 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 79140 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IPB65R225C7ATMA2.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo IPB65R225C7ATMA2 entro 24 ore.
- Numero di parte
- IPB65R225C7ATMA2
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 11A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 225 mOhm @ 4.8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 240µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 20nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 996pF @ 400V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 63W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PG-TO263-3
- Pacchetto / caso
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- IPB65R225C7ATMA2
Componenti correlati realizzati da Infineon Technologies
Parole chiave correlate per "IPB65"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 |
| IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 |
| IPB65R065C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R065C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R095C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R095C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 |
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 |
| IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |