codice articolo del costruttoreIPB60R299CPATMA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible148020 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 600V 11A TO-263
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IPB60R299CPATMA1
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
96W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IPB60R299CPATMA1

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