codice articolo del costruttoreIPB019N06L3GATMA1
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible43610 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IPB019N06L3GATMA1
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 196µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
166nC @ 4.5V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
28000pF @ 30V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IPB019N06L3GATMA1

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