codice articolo del costruttoreBSP297 E6327
Produttore / MarcaInfineon Technologies
quantité disponible208080 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
BSP297 E6327
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
660mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.8V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.1nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
357pF @ 25V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.8W (Ta)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-SOT223-4
Pacchetto / caso
TO-261-4, TO-261AA
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
BSP297 E6327

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