BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 155450 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | BSC014N04LSIATMA1.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo BSC014N04LSIATMA1 entro 24 ore.
- Numero di parte
- BSC014N04LSIATMA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 40V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 31A (Ta), 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.45 mOhm @ 50A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 55nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 4000pF @ 20V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 2.5W (Ta), 96W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PG-TDSON-8 FL
- Pacchetto / caso
- 8-PowerTDFN
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- BSC014N04LSIATMA1
Componenti correlati realizzati da Infineon Technologies
Parole chiave correlate per "BSC01"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 |
| BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON |
| BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 |
| BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 |
| BSC011N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON |
| BSC011N03LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 |
| BSC011N03LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| BSC014N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 |
| BSC014N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 |
| BSC014N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 |