GP1M011A050HS Global Power Technologies Group Distributore
| codice articolo del costruttore | GP1M011A050HS |
|---|---|
| Produttore / Marca | Global Power Technologies Group |
| quantité disponible | 185660 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 500V 10A TO220 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | GP1M011A050HS.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo GP1M011A050HS entro 24 ore.
- Numero di parte
- GP1M011A050HS
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 500V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 10A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 700 mOhm @ 5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 28nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±30V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1546pF @ 25V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 158W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto dispositivo fornitore
- TO-220
- Pacchetto / caso
- TO-220-3
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- GP1M011A050HS
Componenti correlati realizzati da Global Power Technologies Group
Parole chiave correlate per "GP1M"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| GP1M003A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK |
| GP1M003A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK |
| GP1M003A050CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK |
| GP1M003A050FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F |
| GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 |
| GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK |
| GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK |
| GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F |
| GP1M003A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220 |
| GP1M003A080PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK |
| GP1M003A090C | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK |
| GP1M003A090PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK |