EPC2107ENGRT EPC Distributore
| codice articolo del costruttore | EPC2107ENGRT |
|---|---|
| Produttore / Marca | EPC |
| quantité disponible | 33720 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | TRANSISTOR GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | EPC2107ENGRT.pdf |
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- Numero di parte
- EPC2107ENGRT
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
- Caratteristica FET
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 1.7A, 500mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
- Potenza - Max
-
- temperatura di esercizio
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- 9-VFBGA
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 9-BGA (1.35x1.35)
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- EPC2107ENGRT
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