codice articolo del costruttoreEPC2103ENGRT
Produttore / MarcaEPC
quantité disponible86520 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneTRANSISTOR GAN SYM HALF BRDG 80V
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
EPC2103ENGRT
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 40V
Potenza - Max
-
temperatura di esercizio
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
Die
Pacchetto dispositivo fornitore
Die
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
EPC2103ENGRT

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