codice articolo del costruttoreCY7C1177V18-300BZC
Produttore / MarcaCYPRESS
quantité disponible18010 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizione18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency IC
categoria di prodottoCypress IC
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
CY7C1177V18-300BZC
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Imballaggio / custodia
Original
Serie
CY7C117
Paese d'origine
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Stato parte
Active
Processore Core
-
Dimensione centrale
-
Velocità
-
TYPE
-
Connettività
-
Ingresso
-
periferiche
-
Produzione
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Numero di I / O
-
Dimensione della memoria del programma
-
Programma tipo di memoria
-
Dimensione EEPROM
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Dimensione RAM
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Tensione - Fornitura
-
Caratteristiche
-
temperatura di esercizio
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Pacchetto dispositivo fornitore
-
Altro numero di parte
CY7C1177V18-300BZC
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
CY7C1177V18-300BZC

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