CY7C1165KV18-400BZC Cypress Semiconductor Corp Distributore
| codice articolo del costruttore | CY7C1165KV18-400BZC |
|---|---|
| Produttore / Marca | Cypress Semiconductor Corp |
| quantité disponible | 69710 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| categoria di prodotto | Memoria |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | CY7C1165KV18-400BZC.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo CY7C1165KV18-400BZC entro 24 ore.
- Numero di parte
- CY7C1165KV18-400BZC
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo di memoria
- Volatile
- Formato di memoria
- SRAM
- Tecnologia
- SRAM - Synchronous, QDR II+
- Dimensione della memoria
- 18Mb (512K x 36)
- Frequenza di clock
- 400MHz
- Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
-
- Tempo di accesso
-
- Interfaccia di memoria
- Parallel
- Tensione - Fornitura
- 1.7 V ~ 1.9 V
- temperatura di esercizio
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- 165-LBGA
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 165-FBGA (13x15)
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- CY7C1165KV18-400BZC
Componenti correlati realizzati da Cypress Semiconductor Corp
-
-
-
-
-
-
-
CYPRESS18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) IC -
-
-
Parole chiave correlate per "CY7C11"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| CY7C1141V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZXI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143KV18-400BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143KV18-400BZI | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143KV18-450BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |