CY7C1150V18-333BZXI CYPRESS Distributore
| codice articolo del costruttore | CY7C1150V18-333BZXI |
|---|---|
| Produttore / Marca | CYPRESS |
| quantité disponible | 81560 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency IC |
| categoria di prodotto | Cypress IC |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | CY7C1150V18-333BZXI.pdf |
Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo CY7C1150V18-333BZXI entro 24 ore.
- Numero di parte
- CY7C1150V18-333BZXI
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Imballaggio / custodia
- Original
- Serie
- CY7C115
- Paese d'origine
- contact us
- Stato parte
- Active
- Processore Core
- -
- Dimensione centrale
- -
- Velocità
- -
- TYPE
- -
- Connettività
- -
- Ingresso
- -
- periferiche
- -
- Produzione
- -
- Numero di I / O
- -
- Dimensione della memoria del programma
- -
- Programma tipo di memoria
- -
- Dimensione EEPROM
- -
- Dimensione RAM
- -
- Tensione - Fornitura
- -
- Caratteristiche
- -
- temperatura di esercizio
- contact us
- Pacchetto dispositivo fornitore
- -
- Altro numero di parte
- CY7C1150V18-333BZXI
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- CY7C1150V18-333BZXI
Componenti correlati realizzati da CYPRESS
Parole chiave correlate per "CY7C11"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| CY7C1141V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1141V18-300BZXI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143KV18-400BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143KV18-400BZI | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143KV18-450BZC | Cypress Semiconductor Corp | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| CY7C1143V18 | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZI | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |
| CY7C1143V18-300BZXC | CYPRESS | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) IC |