codice articolo del costruttoreAS4C8M16MSA-6BINTR
Produttore / MarcaAlliance Memory, Inc.
quantité disponible30750 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
AS4C8M16MSA-6BINTR
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria
128Mb (8M x 16)
Frequenza di clock
166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
-
Tempo di accesso
5ns
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore
54-FBGA (8x8)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
AS4C8M16MSA-6BINTR

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Parole chiave correlate per "AS4C8M"

Numero di parte fabbricante Descrizione
AS4C8M16D1-5BCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
AS4C8M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II